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  【中國(guó)儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】近日,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在面向5納米以下技術(shù)代的新型硅基環(huán)柵納米線(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的結(jié)構(gòu)和制造方法研究中取得新進(jìn)展。  圖1. 集成電路核心MOS器件結(jié)構(gòu)發(fā)展趨勢(shì)  圖2. 研制的全隔離硅基環(huán)柵納米線MOSFET結(jié)構(gòu)與電學(xué)特性   5納米以下集成電路技術(shù)中現(xiàn)有的FinFET器件結(jié)構(gòu)面臨諸多挑戰(zhàn)

2018-04-26 11:30:44 · 中科院微電子研究所 閱讀:1170
  【中國(guó)儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】近日,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在面向5納米以下技術(shù)代的新型硅基環(huán)柵納米線(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的結(jié)構(gòu)和制造方法研究中取得新進(jìn)展。  圖1. 集成電路核心MOS器件結(jié)構(gòu)發(fā)展趨勢(shì)  圖2. 研制的全隔離硅基環(huán)柵納米線MOSFET結(jié)構(gòu)與電學(xué)特性   5納米以下集成電路技術(shù)中現(xiàn)有的FinFET器件結(jié)構(gòu)面臨諸多挑戰(zhàn)
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