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  集成電路芯片遵從摩爾定律,通過縮減晶體管尺寸,不斷提升性能和集成度,成本得以降低;然而,進(jìn)一步發(fā)展卻受到來自物理極限、功耗和制造成本的限制,需要采用新興信息器件技術(shù)支撐未來電子學(xué)的發(fā)展。碳納米管被認(rèn)為是構(gòu)建亞10nm晶體管的理想材料;理論和實(shí)驗(yàn)研究均表明相較硅基器件而言,其具有5~10倍的本征速度和功耗優(yōu)勢,性能接近由量子測不準(zhǔn)原理所決定的電子開關(guān)的極限,有望滿足后摩爾時(shí)代集成電路的發(fā)展需求

2017-12-13 18:07:20 · 中國儀表網(wǎng) 閱讀:286
  集成電路芯片遵從摩爾定律,通過縮減晶體管尺寸,不斷提升性能和集成度,成本得以降低;然而,進(jìn)一步發(fā)展卻受到來自物理極限、功耗和制造成本的限制,需要采用新興信息器件技術(shù)支撐未來電子學(xué)的發(fā)展。碳納米管被認(rèn)為是構(gòu)建亞10nm晶體管的理想材料;理論和實(shí)驗(yàn)研究均表明相較硅基器件而言,其具有5~10倍的本征速度和功耗優(yōu)勢,性能接近由量子測不準(zhǔn)原理所決定的電子開關(guān)的極限,有望滿足后摩爾時(shí)代集成電路的發(fā)展需求
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